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OSI常规硅光电二极管

简  述:
硅光电二极管是光电探测领域广泛使用的半导体探测元件,其应用领域涵盖生物化学分析、医疗设备、工业自动化、高速光通信、高能 X 射线探测等诸多领域。
品  牌:
美国 OSI
产品型号:
  • DLED-660/880-LLS-2
  • DLED-660/895-LLS-2
  • DLED-660/905-LLS-2
  • PIN-0.81-LLS
  • PIN-0.81-CSL
常规硅光电二极管
硅光电二极管是光电探测领域广泛使用的半导体探测元件,其应用领域涵盖生物化学分析、医疗设备、工业自动化、高速光通信、高能 X 射线探测等诸多领域。
美国 OSI Optoelectronics 公司是业内知名的光电二极管供应商,拥有几十年的光电探测器生产历史,能够提供高标准的光电探测解决方案。同时依托其在美国和海外的多处生产工厂, OSI 可在较短时间内向用户大批量供应产品。
光导 / 光伏型光电探测器
● 波长范围: 350-1100nm
● 高速响应:光导加偏压10ns
● 低暗电流: 0.01nA
● 高灵敏度: 0.65A/W
应用:光脉冲探测、光通信、条码阅读、医疗设备、高速光度测量
紫外增强型探测器
● 波长范围: 200-1100nm
● 高灵敏度: 0.14A/W@254nm
● 反转通道型: 100%内量子效率
● 平面扩散性:红外截止,高稳定度
应用:污染检测、紫外荧光、紫外线测试、水质净化、紫外线验钞
单点软 X 射线探测器
● 探测范围: 6eV-17600eV
● 直接探测,无需闪烁晶体,不需要加偏压
● 高量子效率,低噪声
● 真空低温可适应
应用: X 光医疗设备、放射量测定、 X 光光谱仪、带电粒子探测
位置灵敏探测器
● 四象限和线性位置探测
● 高精度、高分辨率、高速响应
● 在长时间和温度变化下仍可以保持高稳定性
应用:光路准直、位置测量、测绘、导航系统、表面分析
背照式硅光电二极管
背照式PD可以有效减少探测器边缘的无效区域,在提高性能的同 时,其封装尺寸更接近芯片,因此阵列拼接和闪烁体安装非常容易。
应用:X 射线检测、计算机断层扫描和其他一般工业测量。
SPO2 专用发射管和接收管
OSI 公司的双波长 LED 发射管和接收管在 SPO2 领域有着极高的产品认可度,是高端产品的代名词。在中高端血氧监测领域占据着绝大多数市场。双波长发射管 DLED 包含一个 660nm 的红光 LED 和一个近红外LED,近红外波长 880nm、 895nm、905nm、 940nm 可选。
DLED 基本参数
型号 LED发射波长nm 封装形式 引脚 工作温度℃ 存储温度℃
DLED-660/880-LLS-2 660 880 陶瓷贴片型 2引脚,背靠背 -25℃—+85℃ -40℃—+80℃
DLED-660/895-LLS-2 895
DLED-660/905-LLS-2 905
DLED-660/905-LLS-3 905 3引脚,共阳极
DLED-660/940-LLS-3 940
DLED-660/880-CSL-2 880 塑料直插型 2引脚,背靠背
DLED-660/895-CSL-2 895
DLED-660/905-CSL-2 905
DLED-660/905-CSL-3 905 3引脚,共阳极
DLED-660/940-CSL-3 940
OSI 针对 DLED 产品提供了完美的配套接收管,其在 660nm 和 IR 波段有着极高的灵敏度。配套接收管拥有较低的电容和暗电流,并提供三种有效感光尺寸可选。
接收管基本参数如下
型号 有效面积 光谱 灵敏度 电容 暗电流nA 最大反 工作温度 存储温度 封装形式
范围 向电压
面积 尺寸 nm A/W pF -10V V
mm² mm 660nm 900nm -10V 典型值 10μA
PIN-0.81-LLS 0.81 直径 350— 0.33 0.55 2 2 20 -25℃— -40℃— 陶瓷贴片
PIN-0.81-CSL   1.02 1100 +85℃ +100℃ 塑料直插
PIN-4.0-LLS 3.9 2.31x   10 5     陶瓷贴片
PIN-4.0-CSL   1.68       塑料直插
PIN-8.0-LLS 8.4 2.9x   25 10     陶瓷贴片
PIN-8.0-CSL   2.9       塑料直插
 

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